Diodă semiconductoare
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/a6/Diode-ro.svg/250px-Diode-ro.svg.png)
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic constituit dintr-o Joncțiune-pn prevăzută cu contacte metalice la regiunile p și n și introdusă într-o capsulă din sticlă, metal, ceramică sau plastic. Regiunea p a joncțiunii constituie anodul diodei, iar joncțiunea n, catodul.[1] Dioda semiconductoare se caracterizează prin conductivitate unidirecțională, ca și dioda cu vid:
- în cazul polarizării în sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct)
- în cazul polarizării în sens invers permite trecerea unui curent foarte mic (curent invers sau curent rezidual)
Ecuația caracteristică a diodei teoretice - ecuația Shockley
[modificare | modificare sursă]Comportarea diodei semiconductoare în cele două stări poate fi descrisă printr-o relație funcțională, care leagă curentul prin diodă, de tensiunea aplicată la bornele acesteia, cunoscută ca ecuația Shockley:[2][3]
unde
- = curentul prin diodă în A
- = este curentul de saturație inversă, care este aproape independent de tensiunea aplicată. Valoarea depinde de parametrii de realizare ai joncțiunii pn. Acesta se estimează în practică între și în A
- = tensiunea la bornele diodei, măsurată în V
- = constanta lui Euler, aproximativ 2,71828
- = sarcina electronului, 1,6·10–19 C
- = Constanta Boltzmann, 1,38·10–23 J/K
- = Temperatura, în K
- = este un coeficient care ține seama de efectul recombinării purtătorilor în regiunea de barieră. Pentru diodele cu Germaniu N = 1, iar pentru cele cu siliciu N = 2.
Termenul descrie tensiunea produsă în joncțiunea P-N datorită acțiunii temperaturii, și poartă numele de tensiune termoelectromotoare sau . La temperatura camerei, această tensiune este de aproximativ . Simplificând se ajunge la:
unde
- = curentul prin diodă
- = este curentul de saturație inversă a joncțiunii ideale, între și Amperi
Dependența puternică a curentului rezidual de temperatură limitează temperatura maximă de lucru a diodelor uzuale. Pentru diodele cu Germaniu la o valoare aproximativă de 60 °C, iar pentru diodele cu Siliciu la o valoare aproximativă de 150 °C
- = constanta lui Euler, aproximativ 2,71828
- = tensiunea aplicată la bornele diodei
- = este un coeficient care ține seama de efectul recombinării purtătorilor în regiunea de barieră. Pentru diodele cu Germaniu N = 1, iar pentru cele cu siliciu N = 2.
- = tensiunea termoelectromotoare. La 300 K]], se poate aproxima .
- Ecuația demonstrează că există o variație a căderii de tensiune la bornele diodei pentru diferite valori ale curenților prin diodă. Această variație este foarte mică, acesta fiind și motivul pentru care se consideră că, la bornele diodei, căderea de tensiune rămâne constantă, valorile uzuale pentru diodele cu siliciu aproximativ 0,6–0,7 V, iar pentru diodele cu germaniu de la 0,1 V la 0,3 V.
Clasificare
[modificare | modificare sursă]- După materialul din care se realizează:[1]
- După caracteristicile joncțiunii:[1]
- - diodă redresoare
- - diodă stabilizatoare de tensiune (diodă Zener)
- - diodă de comutație
- - diodă cu capacitate variabilă (varactor sau varicap)
- - diodă tunel
- - diodă diac
- - diodă Gunn
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/56/EFD115.jpg/220px-EFD115.jpg)
Caracteristicile diodelor semiconductoare
[modificare | modificare sursă]Principalele caracteristici ale diodelor, trecute în cataloage, sunt următoarele:[4][5]
- tensiunea inversă repetitivă maximă, este tensiunea maximă inversă la care poate rezista dioda, atunci când această tensiune este atinsă în mod repetat (măsurată în Volt). Ideal, această valoare ar fi infinită.
sau - tensiunea maximă inversă de curent continuu, este valoarea maximă a tensiunii la care dioda poate funcționa neîntrerupt, fără distrugerea acesteia (măsurată în V). Ideal, această valoare a fi infinită.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0b/6SI8_diodes.jpg/220px-6SI8_diodes.jpg)
- tensiunea (de polarizare) directă maximă, de obicei este specificată împreună cu valoarea curentului direct (măsurată în V). Ideal, această valoare ar fi zero: ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel de opoziție în fața deplasării electronilor. În realitate, tensiunea directă este descrisă de ecuația diodei.
- valoarea maximă (medie) a curentului direct, valoarea maximă medie a curentului pe care dioda o poate suportă la polarizarea directă (măsurat în A). Această limitare este practic o limitare termică: câtă căldură poate „suporta” joncțiunea P-N, având în vedere că puterea disipată reprezintă produsul dintre curent și tensiune, iar tensiunea de polarizare directă depinde atât de curent cât și de temperatura joncțiunii. Ideal, această valoare ar fi infinită.
(vârf) - curentul de polarizare directă maxim, reprezintă curentul de vârf maxim pe care dioda îl poate conduce la polarizare directă, fără ca acest curent să ducă la distrugerea diodei (măsurat în A). Din nou, această valoare este limitată de capacitatea termică a joncțiunii diodei, și este de obicei mult mai mare decât valoarea curentului mediu datorită inerției termice. Ideal, această valoare ar fi infinită.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/3d/1N4148_IPRS.jpg/220px-1N4148_IPRS.jpg)
- puterea maximă disipată totală, reprezintă valoarea puterii (măsurată în W) pe care dioda o poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei. Ideal, această valoare ar fi infinită.
- temperatura de funcționare a joncțiunii, reprezintă temperatura maximă admisă a joncțiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în (măsurată în °C). Căldura reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare: acestea trebuie menținute la o temperatură cât mai apropiată de temperatura camerei pentru funcționarea lor corectă și o durată de funcționare cât mai lungă.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bf/PL_series_Zener_diodes.jpg/220px-PL_series_Zener_diodes.jpg)
- temperatura de depozitare, reprezintă valoarea temperaturii de stocare a diodelor (nepolarizate).
- rezistența termică, reprezintă diferența dintre temperatura joncțiunii și temperatura aerului exterior diodei , sau dintre joncțiune și contacte , pentru o anumită putere disipată. Valoarea este exprimată în °C/W. Ideal, această valoare ar fi zero, ceea ce ar înseamna că învelișul (carcasa) diodei ar fi un conductor și radiator termic perfect, fiind capabil să transfere energie sub formă de căldură dinspre joncțiune spre mediul exterior (sau spre contacte) fără nicio diferență de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistență termică ridicată se traduce prin faptul că dioda va stoca o temperatură excesivă în jurul joncțiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susținute de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii maxime disipate.
- curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului prin diodă la polarizarea inversă (măsurat în submultipli ai unității standard Amper) și aplicarea tensiunii de polarizare inversă maximă de curent continuu (). Mai este cunoscut și sub numele de curent rezidual. Ideal, această valoare ar fi zero, deoarece o diodă perfectă ar bloca toți curenții atunci când este polarizată invers. În realitate, această valoarea este mică în comparație cu valoarea curentului maxim de polarizare directă.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/63/BB139.jpg/220px-BB139.jpg)
- capacitatea tipică a joncțiunii, reprezintă capacitatea intrinsecă joncțiunii, datorită comportării zonei de golire precum un dielectric între anod și catod. Această valoare este de obicei foarte mică, de ordinul pF.
- timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară „blocării” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între polarizare directă și polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero: dioda se blochează imediat după inversarea polarității. Pentru o diodă redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de μs; pentru o diodă de comutație rapidă, acest timp poate ajunge la doar câteva ns.
Note
[modificare | modificare sursă]- ^ a b c Stanciu, Nicolae; Dan Mircea; Georgeta Bătucă; Iulia Spânu; Ion Presură; Delia Poenaru; Nora Rebreanu (). Dicționar de Radio și Televiziune. Științifică și Enciclopedică. pp. 147–148.
- ^ Florin Mihai Tufescu, Dioda semiconductoare (PDF), Universitatea Alexandru Ioan Cuza, Iași (curs), arhivat din original (PDF) la , accesat în
- ^ Mihai Olteanu, Electronica analogică, arhivat din original la , accesat în
- ^ Ianculescu, Radu (). Manualul radioamatorului incepator. Editura Tehnică. pp. 79–88. ISBN 973-31-0041-2.
- ^ Petru, Alexandru Dan; Dan Mihai Luca; Adrian Albu; George Primejdie; Tudor Dunca (). Diode cu siliciu - Catalog. Editura Tehnică.
Bibliografie
[modificare | modificare sursă]- Dispozitive și circuite electronice, D. Dascălu, M. Profirescu, A. Rusu, I. Costea , 1982, Editura Didactică și Pedagogică
- Catalog IPRS Băneasa-Tranzistoare, Diode, 1970-1971; București: Editura Tehnică, 1970
- IPRS Băneasa/Institutul de Cercetări pentru Componente Electronice Diode si Tiristoare / Diodes and Thyristors, 1976–1977
- Petru Alexandru Dan, Dan Mihai Luca, Adrian Albu, Tudor Dunca, George Primejdie, Diode cu siliciu - Catalog București: Editura Tehnică, 1986
- Nicolae-George Drăgulănescu, Agenda radioelectronistului, București: Editura Tehnică, 1989
Vezi și
[modificare | modificare sursă]Legături externe
[modificare | modificare sursă]Materiale media legate de diodă semiconductoare la Wikimedia Commons