Joncțiune p-n

De la Wikipedia, enciclopedia liberă
Salt la: Navigare, căutare

Joncțiunea p-n este un semiconductor eterogen constituit din două regiuni cu conductibilitate de tip opus (p și n ), care formează o singură rețea cristalină.

Procese[modificare | modificare sursă]

Procesele care au loc într-o joncțiune (sau în urma interacțiunii mai multor joncțiuni), determină proprietățile electrice ale dispozitivelor semiconductoare. Aceste procese sunt influențate de regimul de polarizare a regiunilor.

1. În absența unei tensiuni aplicate din exterior,

  • - o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate în zona de vecinătate), difuzează în regiunea n , unde se recombină cu electronii;
  • - o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflați în zona de vecinătate), difuzează în regiunea p , unde se recombină cu golurile.

Prin plecarea golurilor în regiunea n și a electronilor în regiunea p, vor apărea în cele două regiuni două sarcini electrice spațiale, de sens opus (constituite din acceptori și donori ionizați).

Aceste sarcini electrice creează un câmp electric îndreptat de la n spre p și produc o barieră de potențial care se opune difuziei purtătorilor majoritari, favorizând trecerea prin joncțiune a purtătorilor minoritari.

La echilibru termic:

  • - curentul de goluri produs prin difuzie este egal cu curentul de goluri produs sub influența curentului electric;
  • - curentul de electroni produs prin difuzie este egal cu curentul de electroni produs sub influența curentului electric.

Rezultă că, în ansamblu, semiconductorul este neutru.

2. Dacă se aplică joncțiunii o tensiune din exterior.

Clasificare[modificare | modificare sursă]

  • O joncțiune se obține sub forma unui monocristal semiconductor (de germaniu sau de siliciu) prin diverse procedee.
  • Clasificarea joncțiunilor după procedeul de realizare:
    • Joncțiune prin aliere
    • Joncțiune prin difuzie (joncțiune difuzată)
    • Joncțiune prin creștere epitaxială

Procedee tehnologice[modificare | modificare sursă]

  • Procedeele tehnologice utilizate pentru obținerea materialelor semiconductoare pot fi utilizate și la realizarea joncțiunilor înlocuind materialul semiconductor intrinsec cu un material semiconductor impurificat convenabil.
  • Procedeul de aliere
  • Procedeul de difuzie
    • - prin tehnologie planară
    • - prin tehnologie mesa
    • - prin combinația acestora cu tehnologie epitaxială
  • Procedeul de creștere epitaxială
    • - prin tehnologie epitaxială

Bibliografie[modificare | modificare sursă]

  • Dicționar tehnic de radio și televiziune, Editura științifică și enciclopedică, București, 1975;
  • G.Vasilescu, Electronică, Editura didactică și pedagogică, București, 1981.

Vezi și[modificare | modificare sursă]