A-RAM

De la Wikipedia, enciclopedia liberă
Sari la navigare Sari la căutare

A-RAM (Advanced-Random Access Memory) este un tip de memorie DRAM bazată pe celule cu un singur tranzistor (1T-DRAM). Această tehnologie a fost dezvoltată de Noel Rodriguez și Francisco Gamiz la Universitatea din Granada, Spania, în colaborare cu Sorin Cristoloveanu de la Centrul Național Francez de Cercetări Științifice, Franța. Memoria A-RAM, spre deosebire de memoria DRAM convențională, nu necesită element de stocare a informațiilor (condensator de stocare). Fiecare bit este stocat într-un tranzistor special conceput.

Noutatea sa provine din partiționarea corpului tranzistorului în două regiuni ultra-subțiri distincte separate printr-un dielectric. Spațiile sunt limitate fizic în semicorpul superior și guvernează curentul de electroni care curge în semicorpul inferior. A-RAM poate fi folosită în sisteme înglobate de mică putere, deoarece prezintă definiție îmbunătățită a stării, retenție, scalabilitate și forme de undă simple pentru liniile de cuvinte și biți.[1][2]

Note[modificare | modificare sursă]

  1. ^ A-RAM memory cell: Concept and operation researchgate.net, October 2010. IEEE Electron Device Letters 31(9):972 - 974
  2. ^ Scientists design a revolutionary data storage device sciencedaily.com, University of Granada, November 22, 2012

Bibliografie[modificare | modificare sursă]

  • Santosh K. Kurinec, Krzysztof Iniewski: Nanoscale Semiconductor Memories, CRC Press, 2017, ISBN: 9781351832083

Vezi și[modificare | modificare sursă]

Legături externe[modificare | modificare sursă]