Memorie Flash
De la Wikipedia, enciclopedia liberă
Memoria (de tip) flash este o memorie electronică, de calculator (sau alt aparat), nevolatilă (în care datele persistă şi fără alimentare cu energie electrică), şi care la nevoie poate fi ştearsă şi reprogramată (reîncărcată cu date). "Flash" mai desemnează şi tehnologia folosită la fabricarea memoriilor de acest tip.
Cuprins |
[modifică] Caracteristici
Flash-urile sunt un anume tip de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM), care se programează şi se şterge la nivel de blocuri mari de memorie. Ele sunt mult mai ieftine decât EEPROM-urile programabile la nivel de bait, fapt care le-a făcut să domine tehnologic peste tot unde e nevoie de cantităţi mari de memorie nevolatilă de tip solid-state.
Memoria de tip flash are avantajul hotărâtor că este nevolatilă (conţinutul ei nu "zboară" atunci când se întrerupe curentul). În plus, ea prezintă o viteză de citire (acces) ridicată, chiar dacă aceasta este ceva mai mică decât la memoriile volatile de tip dynamic random access memory(DRAM) (utilizate pentru memoria principală la PC-uri); flash-urile sunt şi foarte rezistente la şocurile mecanice, ceea ce le face foarte apte pentru aparatele portabile. În sfârşit, memoriile bazate pe flash-uri mai rezistă şi la presiuni mari, temperaturi ridicate şi scufundare în apă.
[modifică] Clasificare [1]
Există două tipuri de memorie flash: NOR (Not Or) şi NAND (Not And). Denumirile se referă la tipul de poartă logică folosită pentru celulele de stocare. NOR înseamnă adevărat numai dacă ambele intrări sunt false iar NAND înseamnă fals numai dacă ambele intrări sunt adevărate
Memoria flash tip NOR a fost dezvoltată prima, de către Intel Corporation, în 1988. Are o speranţă de viaţă de 10.000 la 100.000 de cicluri de scriere-ştergere. Deşi are viteze mici de scriere şi de ştergere, permite un acces aleatoriu pentru citire şi scriere, făcând-o adecvată pentru stocarea datelor care nu necesită o actualizare frecvantă.
Memoria flash tip NAND are viteze de scriere şi de ştergere mai mari, o mai mare densitate de memorie, un cost mai mic pe bit şi o speranţă de viaţă mult mai lungă, suportând de aproximativ 10 ori mai multe cicluri de scriere-ştergere decât memoria flash tip NOR. Dezavantajul constă în interfaţa de intrare-ieşie care permite numai un acces secvenţial la date.
[modifică] Limitări
Deşi ele la prima vedere par a înmagazina informaţia permanent, cu timpul informaţiile se pot pierde dacă utilizatorul memoriei nu foloseşte mult timp. Pentru memoriile flash, durata de timp după care informaţia se poate pierde este de ordinul zecilor de ani. O limitare mai importantă o constituie faptul că memoria flash are un număr limitat de cicluri citire-scriere, din cauza acumulării de electroni la poarta tranzistoarelor MOS, ceea ce, după citiri şi scrieri repetate, reduce tensiunea de prag logic într-atât încât devine imposibil de detectat dacă respectivul bit este un „1” sau un „0”. Fenomenul poate apărea după un număr de ordinul zecilor de mii până la ordinul milioanelor de operaţii de citire/scriere.
[modifică] Domenii de utilizare
Memoriile flash se utilizează în primul rând pentru memoriile propriu-zise ale diverselor echipamente electronice cum ar fi: USB flash drive, thumb drive, handy drive, memory stick, flash stick, jump drive, "Cap N' Go" - care încă nu dispun de un termen românesc consacrat.
Ca exemple de aplicaţii ale flash-urilor:
- Un memory stick se foloseşte la schimbul de date între computere şi alte produse digitale.
- PDA-uri (personal digital assistants)
- Computere personale de tip laptop şi notebook
- O mare răspândire au cunoscut-o flash-urile şi la consolele de jocuri electronice, unde, pentru reţinerea datelor jocului, ele au înlocuit deja EEPROM-urile şi SRAM-urile (care trebuie alimentate cu baterii).
- Alte exemple unde se folosesc flash-urile sunt player audio, cameră digitală de fotografiat şi telefoanele mobile.
